[发明专利]一种带有过流保护功能的MOSFET驱动电路及其应用方法有效

专利信息
申请号: 201410850809.3 申请日: 2014-12-30
公开(公告)号: CN105811942B 公开(公告)日: 2019-07-12
发明(设计)人: 王江波;郭希铮;袁捷;游小杰;李艳;林飞;李虹 申请(专利权)人: 国家电网公司;国网智能电网研究院;北京交通大学
主分类号: H03K17/567 分类号: H03K17/567;H03K17/08
代理公司: 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 代理人: 徐国文
地址: 100031 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种带有过流保护功能的MOSFET驱动电路及其应用方法,所述电路包括隔离电路、脉冲放大电路、过流检测电路、逻辑处理电路和保护执行电路;所述隔离电路、脉冲放大电路、电阻和MOSFET依次连接;所述隔离电路、保护执行电路、逻辑处理电路和过流检测电路依次连接。所述方法包括脉冲信号经隔离电路进入到脉冲放大电路,脉冲放大电路将信号功率放大,其输出侧经门极电阻连接MOSFET门极;过流检测电路连接MOSFET的S极,当MOSFET的S极流过的电流达到保护阈值时,过流检测电路检测到过流状态,逻辑处理电路的输出电平跳变,触发保护执行电路,将脉冲放大电路的输入侧脉冲信号封锁,MOSFET关断。
搜索关键词: 一种 带有 保护 功能 mosfet 驱动 电路 及其 应用 方法
【主权项】:
1.一种带有过流保护功能的MOSFET驱动电路,其特征在于,所述电路包括隔离电路、脉冲放大电路、过流检测电路、逻辑处理电路和保护执行电路;所述隔离电路、脉冲放大电路、电阻和MOSFET依次连接;所述隔离电路、保护执行电路、逻辑处理电路和过流检测电路依次连接;所述过流检测电路的输出电压与两个二极管的公共点相连后接到RS触发器的S输入端,RS触发器的VCC极R输入端与二极管串联后的阴极接MOSFET的S极,RS触发器的GND与二极管串联后的阳极接负直流电源Vcc3
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