[发明专利]COA型WOLED结构及制作方法

摘要

本发明提供一种COA型WOLED结构及制作方法，该结构包括红/绿/蓝色子像素区域，各子像素区域分别包括基板、栅极、栅极绝缘层、氧化物半导体层、蚀刻阻挡层、源/漏极、钝化保护层、红/绿/蓝色光阻层、平坦层、半反射层、透明光阻层、阳极层、像素定义层、光阻间隔物、白光发光层、阴极层、及封装盖板。本发明通过在平坦层上形成金属半反射层，并在半反射层上形成透明光阻层，并通过控制红/绿/蓝色光阻层上所对应的透明光阻层的厚度，以分别得到针对不同光色的最优化的微腔长度，从而利用微腔共振效应提高经过彩色滤光片后的红/绿/蓝三原色的发光效率，有效提高COA型WOLED器件的亮度。

主权项

一种COA型WOLED结构，其特征在于，包括红色子像素区域、绿色子像素区域、及蓝色子像素区域；所述红色子像素区域、绿色子像素区域、及蓝色子像素区域分别包括基板(1)、设于所述基板(1)上的栅极(2)、设于所述栅极(2)上的栅极绝缘层(3)、设于所述栅极绝缘层(3)上的岛状氧化物半导体层(4)、设于所述氧化物半导体层(4)上的岛状蚀刻阻挡层(5)、设于所述蚀刻阻挡层(5)上的源/漏极(6)、设于所述源/漏极(6)上的钝化保护层(7)、设于所述钝化保护层(7)上的红/绿/蓝色光阻层(71/72/73)、设于所述钝化保护层(7)上覆盖所述红/绿/蓝色光阻层(71/72/73)的平坦层(8)、设于所述平坦层(8)上并经由过孔(81)与所述源/漏极(6)相接触的半反射层(9)、设于所述半反射层(9)上的阳极层(10)、设于所述阳极层(10)上的像素定义层(11)、设于所述像素定义层(11)上的光阻间隔物(12)、设于所述阳极层(10)与像素定义层(11)上的白光发光层(13)、设于所述白光发光层(13)上的阴极层(14)、及设于所述阴极层(14)上的封装盖板(15)；所述红色子像素区域和绿色子像素区域的半反射层(9)与阳极层(10)之间分别设有透明光阻层(91)，并且所述红色子像素区域的透明光阻层(91)的厚度大于所述绿色子像素区域的透明光阻层(91)的厚度。