[发明专利]一种基于结构的低感母排高频建模方法有效
申请号: | 201410840877.1 | 申请日: | 2014-12-30 |
公开(公告)号: | CN105808797B | 公开(公告)日: | 2018-11-30 |
发明(设计)人: | 闵建军;杨德勇;王坚;李江红;支永健;范祝霞 | 申请(专利权)人: | 南车株洲电力机车研究所有限公司 |
主分类号: | G06F17/50 | 分类号: | G06F17/50 |
代理公司: | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人: | 赵洪;周长清 |
地址: | 412001 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于结构的低感母排高频建模方法,其步骤为:S1:建立低感母排寄生电感等效电路模型;设置六个电感;其中,第一电感L1、第二电感L2、第三电感L3对应电容正极到各IGBT的C极的寄生电感;第四电感L4、第五电感L5、第六电感L6对应电容负极到各IGBT的E极的寄生电感;S2:利用步骤S1得到的低感母排寄生电感等效电路模型进行检测,形成低感母排寄生电感参数矩阵;S3:系统建模直接调用上述等效电路模型,用于模块的传导仿真。本发明具有原理简单、操作简便、能够简化计算过程、提高模型实用性等优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 结构 低感母排 高频 建模 方法 | ||
【主权项】:
1.一种基于结构的低感母排高频建模方法,其特征在于,步骤为:S1:建立低感母排寄生电感等效电路模型;设置六个电感;其中,第一电感L1、第二电感L2、第三电感L3对应电容正极到各IGBT的C极的寄生电感;第四电感L4、第五电感L5、第六电感L6对应电容负极到各IGBT的E极的寄生电感;S2:利用步骤S1得到的低感母排寄生电感等效电路模型进行检测,形成低感母排寄生电感参数矩阵;其中,L12、L13、L23对应正母排内部电容正极到IGBT的C极三个电感间的互感,L45、L46、L56对应负母排内部电容负极到IGBT的E极三个电感间的互感;L14、L24、L34、L15、L25、L35、L16、L26、L36则代表正母排内部电感和负母排内部电感之间的互感;S3:系统建模直接调用上述等效电路模型,用于模块的传导仿真。
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