[发明专利]阵列基板及其制造方法、以及显示装置有效

专利信息
申请号: 201410840792.3 申请日: 2014-12-30
公开(公告)号: CN104465673B 公开(公告)日: 2018-02-23
发明(设计)人: 莫再隆;朴承翊;石天雷 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L29/786;H01L29/04;H01L21/336;H01L21/84
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司11021 代理人: 孙纪泉
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 公开了一种阵列基板及其制作方法、以及显示装置。阵列基板,包括基板、多晶硅薄膜和多个薄膜晶体管。多晶硅薄膜包括沿同一方向延伸的多个晶界。薄膜晶体管包括至少一个沟道电流方向为第一方向的薄膜晶体管和至少一个沟道电流方向为第二方向的薄膜晶体管。第一方向和第二方向不相同,每个所述薄膜晶体管包括栅极、有源层、源极和漏极,其中所述有源层由所述多晶硅薄膜形成。第一方向与晶界延伸方向之间的夹角和所述第二方向与所述晶界延伸方向之间的夹角均不等于90度。通过降低晶界对具有第一方向的沟道电流的薄膜晶体管和具有第二方向的沟道电流的薄膜晶体管的电子迁移率的影响的差异,进而降低两种薄膜晶体管的性能差异。
搜索关键词: 阵列 及其 制造 方法 以及 显示装置
【主权项】:
一种阵列基板,包括:基板;多晶硅薄膜,所述多晶硅薄膜包括沿同一方向延伸的多个晶界,所述晶界是所述多晶硅薄膜中两个相邻结晶区域之间的边界;以及至少一个沟道电流方向为第一方向的薄膜晶体管,和至少一个沟道电流方向为第二方向的薄膜晶体管;所述第一方向和第二方向不相同,每个所述薄膜晶体管包括栅极、有源层、源极和漏极,其中所述有源层由所述多晶硅薄膜形成,所述第一方向与晶界延伸方向之间的夹角和所述第二方向与所述晶界延伸方向之间的夹角均不等于90度;其中,所述第一方向和第二方向基本上彼此垂直并且所述第一方向和晶界延伸方向之间的夹角、与所述第二方向和晶界延伸方向之间的夹角的差值的绝对值大约为零度。
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