[发明专利]一种晶硅电池及其制作方法

摘要

本发明提供了一种晶硅电池及其制作方法，包括如下步骤：制绒、扩散制结、刻边、去磷硅玻璃、淀积氮化硅减反射层、印刷电极、烧结及测试分选，在上述步骤中引入二次刻边工艺，去除晶硅电池片边缘的氮化硅层，提升晶硅电池的并联电阻，从而改进了晶硅电池的光电转换效率。另外，上述二次刻边工艺可选择在淀积氮化硅减反射层工艺后引入，去除电池边缘的氮化硅层；或者在烧结工艺后引入去除电池边缘的氮化硅层。本发明方法简单，易操作，且不受其它工艺步骤限制。

主权项

一种晶硅电池，上端设有梳状顶银电极，下端设有背铝电极，其特征在于：电池片包括从上到下的氮化硅减反射层、N型晶硅和P型晶硅，氮化硅减反射层设置在N型晶硅的上表面。