[发明专利]一种高亮度近紫外LED及其制备方法

摘要

本发明公开了一种高亮度近紫外发光二极管及其制备方法，属于半导体光电子技术领域。该LED结构结构从下向上依次为：图形化蓝宝石衬底、低温GaN成核层、高温非掺杂GaN缓冲层、n型GaN层、n-Inx1Ga1-x1N/Aly1Ga1-y1N量子阱结构的应力释放层、低温n-Aly1Ga1-y1N电流扩展层、InxGa1-xN/AlyGa1-yN多量子阱发光层、p-Aly2Inx2Ga1-x2-y2N电子阻挡层、高温p型GaN层和p型InGaN接触层。本发明通过优化n型应力释放层和n型电流扩展层，可改善近紫外LED电流扩展效果，进而有效提高近紫外LED的发光效率。

主权项

一种高亮度近紫外发光二极管，其特征在于，该发光二极管外延为层状叠加结构，从下向上的材料依次为：图形化蓝宝石衬底、低温GaN成核层、高温非掺杂GaN缓冲层、n型GaN层、n‑Inx1Ga1‑x1N/Aly1Ga1‑y1N量子阱结构的应力释放层、低温n‑Aly1Ga1‑y1N电流扩展层、InxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱发光层、p‑Aly2Inx2Ga1‑x2‑y2N电子阻挡层、高温p型GaN层、p型InGaN接触层，其中，n‑Inx1Ga1‑x1N/Aly1Ga1‑y1N应力释放层的周期数为5‑15，随着应力释放层生长周期数的增加，n‑Inx1Ga1‑x1N/Aly1Ga1‑y1N超晶格应力释放层中势阱Inx1Ga1‑x1N层的厚度从3nm阶梯式变化到5nm,势垒Aly1Ga1‑y1N层厚度从30nm阶梯式变化为10nm，InxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱发光层的周期数为5‑10，且n‑Inx1Ga1‑x1N/Aly1Ga1‑y1N超晶格应力释放层、低温n‑Aly1Ga1‑y1N电流扩展层和InxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱发光层中0.01≤x1≤x≤0.1，0.01≤y1≤y≤0.1；p‑Aly2Inx2Ga1‑x2‑y2N电子阻挡层中0.01≤x2≤x≤0.1；0.01≤y2≤y≤0.1。