[发明专利]COA型WOLED结构及制作方法

摘要

本发明提供一种COA型WOLED结构及制作方法，该结构包括红/绿/蓝色子像素区域，各子像素区域分别包括基板(1)、栅极(2)、栅极绝缘层(3)、氧化物半导体层(4)、蚀刻阻挡层(5)、源/漏极(6)、钝化保护层(7)、红/绿/蓝色光阻层(71/72/73)、平坦层(8)、半反射层(9)、阳极层(10)、像素定义层(11)、光阻间隔物(12)、白光发光层(13)、阴极层(14)、及封装盖板(15)。本发明通过在平坦层上形成半透明金属层作为半反射层，利用阴阳极之间产生微腔共振效应，并通过控制红/绿/蓝色光阻层上所对应的阳极层的厚度，以分别得到针对不同光色的最优化的微腔长度，从而提高经过彩色滤光片后的红/绿/蓝三原色的发光效率，有效提高COA型WOLED器件的亮度。

主权项

一种COA型WOLED结构，其特征在于，包括红色子像素区域、绿色子像素区域、及蓝色子像素区域；所述红色子像素区域、绿色子像素区域、及蓝色子像素区域分别包括基板(1)、设于所述基板(1)上的栅极(2)、设于所述栅极(2)上的栅极绝缘层(3)、设于所述栅极绝缘层(3)上的岛状氧化物半导体层(4)、设于所述氧化物半导体层(4)上的岛状蚀刻阻挡层(5)、设于所述蚀刻阻挡层(5)上的源/漏极(6)、设于所述源/漏极(6)上的钝化保护层(7)、设于所述钝化保护层(7)上的红/绿/蓝色光阻层(71/72/73)、设于所述钝化保护层(7)上覆盖所述红/绿/蓝色光阻层(71/72/73)的平坦层(8)、设于所述平坦层(8)上并经由过孔(81)与所述源/漏极(6)相接触的半反射层(9)、设于所述半反射层(9)上的阳极层(10)、设于所述阳极层(10)上的像素定义层(11)、设于所述像素定义层(11)上的光阻间隔物(12)、设于所述阳极层(10)与像素定义层(11)上的白光发光层(13)、设于所述白光发光层(13)上的阴极层(14)、及设于所述阴极层(14)上的封装盖板(15)；所述红色子像素区域的阳极层(10)的厚度大于所述绿色子像素区域的阳极层(10)的厚度，所述绿色子像素区域的阳极层(10)的厚度大于所述蓝色子像素区域的阳极层(10)的厚度；所述半反射层(9)的材料为银或铜或二者的合金，所述阴极层(14)的材料为铝；所述氧化物半导体层(4)的材料为氧化铟镓锌，所述阳极层(10)的材料为氧化铟锡。