[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201410819757.3 | 申请日： | 2014-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN105789316A | 公开（公告）日： | 2016-07-20 |
| 发明（设计）人： | 安生健二 | 申请（专利权）人： | 业鑫科技顾问股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 汪飞亚 |
| 地址： | 中国台湾新竹县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管及其制作方法，该薄膜晶体管包括栅极、栅极绝缘层、本征非晶硅层、n型非晶硅层、源极以及漏极。该栅极绝缘层设于该栅极与该本征非晶硅层之间。该本征非晶硅层包括掺杂区域及非掺杂区域。该n型非晶硅层位于该非掺杂区域表面。该源极与该漏极分别位于该本征非晶硅两侧且均与该n型非晶硅层及该掺杂区域接触且彼此分离设置。由于该n型非晶硅层及该掺杂区域的存在，可降低电子迁移率，使得当薄膜晶体管处于关闭状态时，能够有效降低漏电流，从而改善电气特性。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括栅极、栅极绝缘层、本征非晶硅层、n型非晶硅层、源极以及漏极；该栅极绝缘层设于该栅极与该本征非晶硅层之间；该本征非晶硅层包括掺杂区域及非掺杂区域；该n型非晶硅层位于该非掺杂区域表面；该源极与该漏极分别位于该本征非晶硅两侧且均与该n型非晶硅层及该掺杂区域接触且彼此分离设置。
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