[发明专利]在半导体管芯上形成细节距的RDL的半导体器件和方法

摘要

本发明涉及在半导体管芯上形成细节距的RDL的半导体器件和方法。半导体器件具有包括多个导电迹线的第一导电层。第一导电层形成在衬底上。利用窄节距形成导电迹线。在第一导电层上放置第一半导体管芯和第二半导体管芯。在第一和第二半导体管芯上沉积第一密封剂。移除衬底。在第一密封剂上沉积第二密封剂。在第一导电层和第二密封剂上形成堆积互连结构。堆积互连结构包括第二导电层。在第一密封剂中放置第一无源器件。在第二密封剂中放置第二无源器件。在第二密封剂中放置垂直互连单元。第三导电层形成在第二密封剂上并且经由垂直互连单元电气连接到堆积互连结构。

主权项

1.一种制作半导体器件的方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成第一导电层；将第一半导体管芯放置在所述第一导电层上；将第一密封剂放置在所述第一半导体管芯、所述衬底和所述第一导电层上；在沉积第一密封剂之后移除所述衬底的一部分以暴露所述导电层；在移除所述衬底的所述一部分之后将第二密封剂放置在所述第一密封剂和所述导电层周围；以及在所述第一导电层和所述第二密封剂上形成第二导电层。