[发明专利]基板处理装置在审
| 申请号： | 201410811437.3 | 申请日： | 2014-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN104733352A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 宋炳奎;金劲勋;金龙基;申良湜;金苍乭;申昌勋;金恩德 | 申请（专利权）人： | 株式会社EUGENE科技 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王伟;安翔 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基板处理装置，包括：腔室，该腔室提供内部空间，在该内部空间中，基板通过通道传递，并在基板上执行工艺，并且该腔室具有将气体供应至基板的供应口；以及基座，该基座安装在内部空间中，并且该基座包括对基板进行加热的加热区域和对从供应口供应的气体进行预加热的预加热区域。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 | ||
【主权项】：
一种基板处理装置，包括：腔室，所述腔室提供内部空间，在所述内部空间中，基板通过通道进行传递，并且在所述基板上进行处理，所述腔室具有将气体供应至所述基板的供应口；以及基座，所述基座安装在所述内部空间中，并且所述基座包括对所述基板进行加热的加热区域和对从所述供应口供应的气体进行预加热的预加热区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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