[发明专利]一种集成电路铜CMP组合物及其制备方法有效
| 申请号： | 201410808839.8 | 申请日： | 2014-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN104513627A | 公开（公告）日： | 2015-04-15 |
| 发明（设计）人： | 潘国顺;邹春莉;顾忠华;徐莉;龚桦;王鑫 | 申请（专利权）人： | 深圳市力合材料有限公司;清华大学;深圳清华大学研究院 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;C23F3/04 |
| 代理公司： | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 | 代理人： | 哈达 |
| 地址： | 518108 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种集成电路铜CMP组合物及其制备方法，属于微电子辅助材料及超精密加工工艺技术领域，特别涉及一种具有催化作用的抛光组合物。本发明组合物包括去离子水、含催化剂组合磨粒、氧化剂、络合剂、缓蚀剂、界面反应助剂、pH调节剂、表面活性剂，该抛光组合液的pH值为2.0～5.5。本发明使抛光磨粒与催化剂相结合，使抛光磨粒在起到机械磨削作用的同时具有催化活性，具有催化氧化的能力，同时兼具机械作用和化学作用，既能保持抛光表面质量又能实现快速去除的一种铜化学机械抛光组合物。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成电路 cmp 组合 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种集成电路铜CMP组合物，其特征在于，该组合物包括去离子水、含催化剂组合磨粒、氧化剂、络合剂、缓蚀剂、界面反应助剂、pH调节剂、表面活性剂，该抛光组合液的pH值为2.0～5.5，所述各组分的含量如下：含催化剂组合磨粒 5wt％～10wt％氧化剂 0.05wt％～10wt％络合剂 0.03wt％～8wt％缓蚀剂 0.005wt％～0.1wt％界面反应助剂 0.001wt％～0.1wt％表面活性剂 0.001wt％～0.1wt％去离子水 余量。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市力合材料有限公司;清华大学;深圳清华大学研究院;，未经深圳市力合材料有限公司;清华大学;深圳清华大学研究院;许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410808839.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：聚乙烯醇缩丁醛胶片及其制备方法
- 下一篇：仿大理石涂料
