[发明专利]半导体器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201410789104.5 | 申请日： | 2014-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN105762185A | 公开（公告）日： | 2016-07-13 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体器件及其制作方法。其中，该半导体器件包括：衬底；栅极结构，设置于衬底的表面上；轻掺杂区，设置于栅极结构的两侧的衬底中且延伸至栅极结构下方；L型凹槽以及设置于L型凹槽中的应力层，L型凹槽设置于栅极结构的两侧的衬底中，部分应力层设置于轻掺杂区的下方。于位于轻掺杂区的下方的应力层呈长方体结构，从而避免了在应力层和衬底之间形成尖端结构，进而避免了由尖端结构导致的结漏电流。同时，呈长方体结构的应力层相比Σ型应力层更远离导电沟道的下方，从而减少了导电沟道下方的应力，进而进一步减少了结漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：衬底；栅极结构，设置于所述衬底的表面上；轻掺杂区，设置于所述栅极结构的两侧的所述衬底中且延伸至所述栅极结构下方；L型凹槽以及设置于所述L型凹槽中的应力层，所述L型凹槽设置于所述栅极结构的两侧的所述衬底中，部分所述应力层设置于所述轻掺杂区的下方。
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