[发明专利]半导体存储器件及其操作方法有效
| 申请号： | 201410772622.6 | 申请日： | 2014-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN104733053B | 公开（公告）日： | 2019-04-12 |
| 发明（设计）人： | 郑椿锡 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/56 | 分类号： | G11C29/56 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体存储器件包括：操作控制块，其适于响应于第一预设命令和经由地址焊盘输入的地址信号来控制至/从测试公共模式和测试应用模式的进入/离开；测试正常输入块，其适于在所述测试应用模式下响应于所述第一预设命令来将所述地址信号作为测试操作信号接收；测试公共输入块，其适于在所述测试公共模式下响应于第二预设命令来将经由数据焊盘输入的数据信号作为所述测试操作信号接收；以及内部电路，其适于在所述测试应用模式下响应于所述测试操作信号来执行预设测试操作。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器件，包括：操作控制块，其适于响应于第一预设命令和经由地址焊盘输入的地址信号来控制至测试公共模式和测试应用模式的进入以及从测试公共模式和测试应用模式的离开；测试正常输入块，其适于在所述测试应用模式下响应于所述第一预设命令来将所述地址信号作为测试操作信号接收；测试公共输入块，其适于在所述测试公共模式下响应于第二预设命令来将经由数据焊盘输入的数据信号作为所述测试操作信号接收；以及内部电路，其适于在所述测试应用模式下响应于所述测试操作信号来执行预设测试操作。
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