[发明专利]用于检查带隙半导体结构的方法和系统

摘要

本发明描述了用于检查间接带隙半导体结构（140）的方法（600）和系统（100）。光源（110）生成适于在所述间接带隙半导体结构（140）中引发光致发光的光（612）。短通滤波器单元（114）减少所生成的光中的高于指定发射峰值的长波长光。准直器（112）对所述光进行准直。利用所述经过准直以及短通滤波的光基本上均匀地且同时地照射所述间接带隙半导体结构（140）的大面积（618）。图像捕获设备（130）捕获由入射在所述间接带隙半导体结构的所述大面积上的所述基本上均匀的同时照射所引发的光致发光的图像（620）。对所述光致发光图像进行图像处理（622），以便利用在所述大面积内所引发的所述光致发光的空间变化来量化所述间接带隙半导体结构（140）的空间分辨的指定电子特性。

主权项

1.一种检查间接带隙半导体材料的方法，所述方法包括以下步骤：利用光源从一侧照射所述半导体材料，所述光源生成适合于在所述间接带隙半导体材料中引发光致发光的光；利用图像捕获设备从被照射的同一侧或从相对侧捕获所述照射在所述半导体材料的大面积内引发的光致发光的图像，其中所述方法用于以大约每秒一个晶片的速度检查所述间接带隙半导体材料的晶片。