[发明专利]一种基于卷曲半导体薄膜的高灵敏度光电探测器件及其制备方法

摘要

本发明属于微纳器件技术领域，具体为一种基于半导体薄膜的高灵敏度光电探测器件及其制备方法。制备方法包括：在衬底上制备有机物牺牲层、半导体薄膜功能层，并且通过沉积参数的控制，使薄膜弯曲成管道结构；在管道结构上制备金属电极。将该结构置于光学辐射环境中，由于管状结构光学微腔中存在着谐振模式，可以显著增强半导体薄膜的光学吸收，从而得到高灵敏度的光电探测器件。该探测器件无角度依赖，灵敏度高，制备方便，在光电转换，夜视成像，环境监测，太空探测等领域具有重要的应用前景。

主权项

一种基于半导体薄膜的高灵敏度光电探测器件制备方法，其特征在于具体步骤为：（1）在基底上按顺序沉积牺牲层和半导体薄膜作为功能层；（2）利用光刻将多层半导体薄膜图形化成特定的图形；（3）使用化学腐蚀的方法去除牺牲层，释放薄膜；在预应力梯度作用下，薄膜弯曲成管道结构；（4）在管道结构内外表面沉积上用于信号检测的电极，进行后续加固封装。