[发明专利]一种半导体器件中硅片和钼片焊接的方法及应用有效
| 申请号： | 201410756710.7 | 申请日： | 2014-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN104538321B | 公开（公告）日： | 2018-10-26 |
| 发明（设计）人： | 朱为为;吴煜东;颜骥;张明;邹冰艳;操国宏;唐革;王政英;姚震洋;刘芹;高军 | 申请（专利权）人： | 株洲南车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;桑胜梅 |
| 地址： | 412001 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件中硅片和钼片焊接的方法，所述方法包括以下步骤：a.在钼片上设置第一银层；b.在硅片的阳极上设置第二银层；c.将第三银层设置于第一银层和第二银层之间；d.通过第一银层、第二银层和第三银层的焊接，从而将硅片与钼片焊接在一起。该方法工艺简单，成品率高，焊接强度高、焊接层空洞率低，变形量小，可大大的提高产品的性能。本发明还涉及上述方法制得的硅片/钼片焊接产品的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 银层 焊接 硅片 钼片 半导体器件 阳极 变形量 成品率 焊接层 空洞率 应用 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件中硅片和钼片焊接的方法，所述方法包括以下步骤：a.在钼片上设置第一银层；b.在硅片的阳极上设置第二银层；c.将第三银层设置于第一银层和第二银层之间，将第三银层转至钼片上，与钼片上的第一银层接触，将第三银层上的支撑材料去除，然后再将第三银层的另一面与硅片的第二银层相接触；d.通过第一银层、第二银层和第三银层的焊接，从而将硅片与钼片焊接在一起；步骤d中，所述焊接时的温度为250℃，压强为8‑15MPa，时间为2‑5min；其中，所述第三银层为纳米银层，所述第三银层的厚度为40～100μm；在所述硅片的阴极面设置有缓冲层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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