[发明专利]半导体器件以及制造半导体器件的方法

摘要

本发明提供了半导体器件。一种半导体器件包括具有第一区域至第四区域的衬底。而且，第一栅极绝缘层至第四栅极绝缘层分别位于第一区域至第四区域上。在第一栅极绝缘层至第四栅极绝缘层中，第一栅极绝缘层至第四栅极绝缘层中的功函数控制材料的量、第一栅极绝缘层至第四栅极绝缘层中的氮浓度和/或第一栅极绝缘层至第四栅极绝缘层的厚度是变化的。本发明还提供了用于制造半导体器件的方法。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底的第一区域至第四区域上形成栅极绝缘层；将第一浓度的氮化物提供至形成在衬底的第一区域和第二区域上的部分栅极绝缘层，并且将第二浓度的氮化物提供至形成在衬底的第三区域和第四区域上的部分栅极绝缘层，其中第二浓度的氮化物包括与第一浓度的氮化物不同的浓度；在衬底的第一区域至第四区域上形成功函数控制材料提供层；在功函数控制材料提供层上形成覆盖层，其中所述覆盖层在衬底的第一区域和第三区域上形成为第一厚度，并且在衬底的第二区域和第四区域上形成为与第一厚度不同的第二厚度；以及将衬底退火。