[发明专利]高低温相硼酸锶镉晶体及制备方法和用途有效
| 申请号： | 201410735826.2 | 申请日： | 2014-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN105714376B | 公开（公告）日： | 2018-03-09 |
| 发明（设计）人： | 潘世烈;张兴文;吴红萍 | 申请（专利权）人： | 中国科学院新疆理化技术研究所 |
| 主分类号： | C30B29/10 | 分类号： | C30B29/10;C30B11/00 |
| 代理公司： | 乌鲁木齐中科新兴专利事务所65106 | 代理人： | 张莉 |
| 地址： | 830011 新疆维吾尔*** | 国省代码： | 新疆;65 |
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| 摘要： | 本发明涉及大尺寸高低温相硼酸锶镉晶体及制备方法和用途。该大尺寸高低温相晶体的化学式为SrCdB2O5，分子量301.64，低温相SrCdB2O5属正交晶系，空间群Pbca，晶胞参数为a=11.955(12)Å，b=5.762(6)Å，c=12.658(12)Å，V=872.0(15)Å3；高温相晶体属单斜晶系，空间群C2/c，晶胞参数为a=7.639(7)Å，b=10.183(10)Å，c=11.140(10)Å，β=99.247(10)°，V=855.2(14)Å3。采用高温熔液法生长晶体，该硼酸锶镉晶体机械硬度大，易于切割、抛光加工和保存，并且存在负热膨胀性，相变时体积负突变，高温相SrCdB2O5密度大于低温相SrCdB2O5密度，由于这一性质，在制备热敏器件以及零膨胀材料中得到广泛应用。 | ||
| 搜索关键词： | 低温 硼酸 晶体 制备 方法 用途 | ||
【主权项】：
一种高温相硼酸锶镉晶体，其特征在于该晶体的化学式为SrCdB2O5，分子量301.64，高温相SrCdB2O5属单斜晶系，空间群C2/c，晶胞参数为a = 7.639(7)Å，b = 10.183(10) Å，c = 11.140(10)Å，β= 99.247(10)°， V= 855.2(14)Å3。
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