[发明专利]一种连续加料的单晶硅生长工艺

摘要

本发明公开了区熔法生长N型硅单晶工艺。它的技术方案是这样实现的：将一个很细的籽晶快速插入熔融晶柱的顶部，先拉出一个直径约3mm，长约10～20mm的细颈，然后在拉速不低于5～6mm/min，温度降至1420～1460℃之间时放肩至较大的直径，所述熔融晶柱固定于卡盘，一个金属线圈沿所述熔融晶柱长度方向缓慢移动并通过所述熔融晶柱，在金属线圈中通过高功率的射频电流，产生焦耳热，通过调整线圈功率，可以使得所述熔融晶柱紧邻线圈的部分熔化，线圈移过后，熔料再结晶为单晶。本发明具有以下有益效果：由于区熔法不用坩埚，避免了来自坩埚的污染，而且还可以利用悬浮区熔进行多次提纯，所以单晶较一般电子级单晶硅具有更高纯度和更高电阻率。

主权项

一种连续加料的N型单晶硅生长工艺，它的工艺流程包括：加料‑熔化‑缩颈生长‑放肩生长‑等径生长‑收尾‑降温，其特征在于，使用连续加料法在单晶硅生长的同时不断地向所述熔化工序使用的石英坩埚内补充添加多晶硅原料，保持所述石英坩埚中有恒定的硅熔体，保持硅熔体液面不变处于稳定状态。