[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示装置有效
| 申请号： | 201410729803.0 | 申请日： | 2014-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN104409415A | 公开（公告）日： | 2015-03-11 |
| 发明（设计）人： | 王武;邱海军;尚飞;王国磊 | 申请（专利权）人： | 重庆京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 柴亮;张天舒 |
| 地址： | 400714 重庆市北碚区*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明提供一种阵列基板制备方法、阵列基板、显示装置，用于解决现有技术存在的阵列基板制备中掩膜板多制备成本高的问题。本发明提供的阵列基板制备方法、阵列基板、显示装置，由于将刻蚀阻挡层采用钝化层的掩膜板或源、漏电极的掩膜板制备，减少了阵列基板制备的掩膜板，降低了制备成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阵列 及其 制备 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在衬底上通过构图工艺形成包括有源层的图形；在形成有源层的所述衬底上沉积刻蚀阻挡层；在所述刻蚀阻挡层上沉积金属层；通过构图工艺在所述金属层上形成包括源电极的第一部分、漏电极的第一部分的图形，且所述源电极上形成有第一开口；所述漏电极上形成有第二开口；以及在所述刻蚀阻挡层上形成刻蚀阻挡图案，所述刻蚀阻挡图案具有分别与所述源电极上的第一开口、所述漏电极上的第二开口相对应的开口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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