[发明专利]提升金铝键合长期可靠性的方法在审

专利信息
申请号: 201410725307.8 申请日: 2014-12-03
公开(公告)号: CN104409371A 公开(公告)日: 2015-03-11
发明(设计)人: 杨兵;张国华 申请(专利权)人: 无锡中微高科电子有限公司
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60;H01L23/488
代理公司: 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 代理人: 殷红梅
地址: 江苏省无锡市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种提升金铝键合长期可靠性的方法,特征是采用溅射阻挡层TiW和电镀焊接层金的方式将芯片铝焊盘结构改变成金焊盘结构(溅射阻挡层TiW阻挡了铝焊盘与金球之间形成金铝焊接界面,在阻挡层TiW的表面电镀焊接层金形成金焊接表面),将金铝异种金属键合焊接界面改变成金金同种金属键合焊接界面,彻底解决了金铝异种金属键合导致的集成电路器件的长期可靠性问题。本发明能够适用于5″、6″、8″或12″的任意一类尺寸,该类圆片中可包含铝层结构的任意尺寸的芯片。
搜索关键词: 提升 金铝键合 长期 可靠性 方法
【主权项】:
一种提升金铝键合长期可靠性的方法,其特征在于,包括下述步骤:步骤一,含有铝层焊盘结构的圆片(1)来料接收;所述圆片(1)上含有芯片(2);芯片(2)表面具有铝焊盘(3);步骤二,根据来料圆片中芯片表面的铝焊盘的位置坐标定制专用光刻掩膜板(8);光刻掩膜板(8)的作用是在芯片铝焊盘的位置区域紫外光可透过,在芯片的非焊盘区域紫外光被阻挡;步骤三,对含有铝焊盘结构的圆片进行清洗,去除圆片表面杂质;步骤四,采用光刻和电镀的方法将铝焊盘结构的圆片修改成金焊盘结构的圆片。
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