[发明专利]提升金铝键合长期可靠性的方法

权利要求书

1.一种提升金铝键合长期可靠性的方法，其特征在于，包括下述步骤：

步骤一，含有铝层焊盘结构的圆片(1)来料接收；所述圆片(1)上含有芯片(2)；芯片(2)表面具有铝焊盘(3)；

步骤二，根据来料圆片中芯片表面的铝焊盘的位置坐标定制专用光刻掩膜板(8)；光刻掩膜板(8)的作用是在芯片铝焊盘的位置区域紫外光可透过，在芯片的非焊盘区域紫外光被阻挡；

步骤三，对含有铝焊盘结构的圆片进行清洗，去除圆片表面杂质；

步骤四，采用光刻和电镀的方法将铝焊盘结构的圆片修改成金焊盘结构的圆片。

2.如权利要求1所述的提升金铝键合长期可靠性的方法，其特征在于，所述步骤三具体包括：

步骤3-1，对含有铝焊盘结构的圆片(1)进行清洗，以去除圆片表面的杂质；

步骤3-2，经过清洁处理后的圆片进行脱水烘干处理，使其达到清洁干燥。

3.如权利要求1所述的提升金铝键合长期可靠性的方法，其特征在于，所述步骤四具体包括：

步骤4-1，在铝焊盘结构圆片的整个表面溅射阻挡层(9)；阻挡层(9)的材料为TiW合金；

步骤4-2，在铝焊盘结构圆片的整个表面再溅射一层焊接层(10)；焊接层(10)的材料为金属Au；

步骤4-3，在铝焊盘结构圆片表面涂上光刻胶体(11)，并烘烤固化；

步骤4-4，采用专用光刻掩膜板(8)，通过光刻设备将专用光刻掩膜板(8)上的焊盘图形对准圆片上的铝层(5)上的焊盘；

步骤4-5，进行紫外线曝光；采用显影液去除已曝光部分的光刻胶；

步骤4-6，将圆片进行烘焙，以去除显影后光刻胶内残留溶剂；

步骤4-7，通过电镀的方式，在露出的焊接层(10)表面电镀上一层焊接层金(13)；

步骤4-8，去除圆片表面的光刻胶；

步骤4-9，去除光刻胶完毕后，采用刻蚀工艺刻蚀掉对焊接层金(13)以外的阻挡层(9)的TiW和焊接层(10) 的Au；

步骤4-10，最后对圆片进行漂洗和干燥。

4.如权利要求3所述的提升金铝键合长期可靠性的方法，其特征在于：

步骤4-1中，阻挡层(9)的厚度为3000～5000?。

5.如权利要求3所述的提升金铝键合长期可靠性的方法，其特征在于：

步骤4-2中，焊接层(10)的厚度为1000～2000?。

6.如权利要求3所述的提升金铝键合长期可靠性的方法，其特征在于：

步骤4-3中，圆片放置在烘箱中采用120℃，30min条件进行烘烤固化。

7.如权利要求3所述的提升金铝键合长期可靠性的方法，其特征在于：

步骤4-7中，焊接层金(13)的厚度为20000～30000?。