[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供了包括改善的外延形貌的finFET。一种半导体器件包括半导体衬底，该半导体衬底具有形成于其上表面上的多个半导体鳍。外延材料被形成在所述半导体衬底的上表面上以及所述半导体鳍的外表面上。所述外延材料包括epi上表面，所述epi上表面具有接触所述半导体鳍的下部区域和形成于所述下部区域上方的上部区域。所述上部区域与所述半导体鳍的上表面平行地延伸。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在半导体衬底的上表面上形成多个半导体鳍；在所述半导体衬底的上表面上以及所述半导体鳍的外表面上生长外延材料，所述外延材料包括epi上表面，所述epi上表面具有接触所述半导体鳍的下部区域和形成于所述下部区域上方的上部区域，所述下部区域和所述上部区域在其间限定第一高度差；以及使所述上部区域凹陷，以限定小于所述第一高度差的第二高度差且提高所述epi上表面的平坦度，其中凹陷的所述上部区域包括与所述半导体鳍的上表面平行地延伸的部分。