[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201410707067.9 | 申请日： | 2014-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN105702724B | 公开（公告）日： | 2019-01-22 |
| 发明（设计）人： | 蔡国辉 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其形成方法，形成方法包括：形成基底；在基底上形成栅极结构；在所述基底和所述栅极结构上覆盖用于保护所述栅极结构的保护层；在栅极结构两侧的基底内形成凹槽；向所述凹槽内填充半导体材料，以形成应力层；对所述半导体材料进行离子掺杂，形成源区和漏区；在覆盖保护层的步骤之后，在填充半导体材料形成应力层的步骤之前，所述半导体器件的形成方法还包括：采用含氟气体对所述半导体器件进行干法清洗。本发明能够避免外延生长之后产生的大量缺陷，能够有效提高器件制造过程中的良品率，降低器件制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：形成基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底内的隔离结构、位于所述隔离结构和所述衬底之间的第一衬垫层以及位于所述第一衬垫层和所述隔离结构之间的第二衬垫层；在基底上形成栅极结构；在所述基底和所述栅极结构上覆盖用于保护所述栅极结构的保护层；在栅极结构两侧的基底内形成凹槽；向所述凹槽内填充半导体材料，以形成应力层；对所述半导体材料进行离子掺杂，形成源区和漏区；在覆盖保护层的步骤之后，在填充半导体材料形成应力层的步骤之前，所述半导体器件的形成方法还包括：采用含氟气体对所述半导体器件进行干法清洗，而且所述含氟气体干法清洗中所述第二衬垫层的去除速率小于所述第一衬垫层的去除速率。
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