[发明专利]双面电池的制作方法

摘要

本发明公开了一种双面电池的制作方法，包括：S1：在硅衬底的正面生长氧化铝；S2：将硼离子注入至氧化铝中，将V族离子注入至该硅衬底的背面；S3：对步骤S2得到的结构进行退火处理，同时该氧化铝中的硼离子进入该硅衬底的正面中形成P型掺杂层。本发明将硼离子注入至作为钝化层的氧化铝中，在背面离子注入完成之后，利用了离子注入之后均需要退火的特点，使得氧化铝中的硼离子扩散至硅衬底的正面中形成P型掺杂层。如此一来，既免去了热扩散的形成掩膜、去掩膜的复杂步骤，又解决了硼离子注入损伤修复困难的问题。

主权项

一种双面电池的制作方法，其特征在于，其包括以下步骤：S1：在硅衬底的正面生长氧化铝；S2：将硼离子注入至氧化铝中，将V族离子注入至该硅衬底的背面；S3：对步骤S2得到的结构进行退火处理，同时该氧化铝中的硼离子进入该硅衬底的正面中形成P型掺杂层。