[发明专利]双面电池的制作方法在审
申请号: | 201410706106.3 | 申请日: | 2014-11-27 |
公开(公告)号: | CN105702797A | 公开(公告)日: | 2016-06-22 |
发明(设计)人: | 沈培俊;金光耀;王懿喆;陈炯;洪俊华 | 申请(专利权)人: | 上海晶玺电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人: | 薛琦;吕一旻 |
地址: | 200092 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 双面 电池 制作方法 | ||
1.一种双面电池的制作方法,其特征在于,其包括以下步骤:
S1:在硅衬底的正面生长氧化铝;
S2:将硼离子注入至氧化铝中,将V族离子注入至该硅衬底的背面;
S3:对步骤S2得到的结构进行退火处理,同时该氧化铝中的硼离子进 入该硅衬底的正面中形成P型掺杂层。
2.如权利要求1所述的制作方法,其特征在于,步骤S3之后还包括:
S4:在该硅衬底的正面和背面形成氮化硅层;
S5:在正面和背面的氮化硅层上丝网印刷栅状电极并烧结以形成正面电 极和背面电极。
3.如权利要求2所述的制作方法,其特征在于,步骤S4和S5之间还 包括:
SP:采用激光消融的方式去除该硅衬底正面预定区域的氮化硅层、氧化 铝并使得该预定区域的氧化铝中的硼离子进入该P型掺杂层中形成P型重掺 杂区域;
步骤S5中正面电极形成于与该P型重掺杂区域相对应的位置。
4.如权利要求1所述的制作方法,其特征在于,该硅衬底为N型掺杂 的硅衬底。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的