[发明专利]嵌入式锗硅器件的制作方法在审
| 申请号： | 201410697457.2 | 申请日： | 2014-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN104392930A | 公开（公告）日： | 2015-03-04 |
| 发明（设计）人： | 鲍宇 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种嵌入式锗硅器件的制作方法，在半导体衬底的源/漏区刻蚀出凹槽以及在凹槽侧壁外延第一锗硅层之后，对第一锗硅层进行高温氧化处理，使得第一锗硅层中的硅被氧化，而锗向第一锗硅层周围的半导体衬底内部移动并形成新的锗硅层，由此使得处理后的第一锗硅层更加接近沟道，从而具有更大的沟道区有效应力，进而提高嵌入式锗硅器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 嵌入式 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
一种嵌入式锗硅器件的制作方法，其特征在于，包括：在一半导体衬底上依次形成栅极介电层、栅极以及围绕在栅极和栅极介电层的两侧的侧墙；以所述栅极和侧墙为掩膜，刻蚀所述半导体衬底的源/漏区以形成凹槽；在所述凹槽中外延生长第一锗硅层，所述第一锗硅层至少覆盖在所述凹槽靠近侧墙的侧壁上；对所述第一锗硅层进行高温氧化处理以调节第一锗硅层与栅极下方边缘的距离，并去除高温氧化处理过程中第一锗硅层上形成的氧化层；继续在所述凹槽中外延生长第二锗硅层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410697457.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
