[发明专利]半导体器件及其形成方法

摘要

本发明提供一种半导体器件及其形成方法，半导体器件包括：具有多个器件区域的衬底、形成于器件区域中的多个晶体管；并联第一端部晶体管的源区的第一金属线；并联第二端部晶体管的漏区的第二金属线；串联每个器件区域中的栅极的第三金属线。形成方法包括：提供具有多个器件区域的衬底；形成栅极；在衬底表面形成掺杂区；采用第一金属线将位于每个器件区域中的第一端部晶体管的源区并联；采用第二金属线将位于每个器件区域中的第二端部晶体管的漏区并联；采用第三金属线将每个器件区域中的栅极串联。本发明的有益效果在于：第一金属线与第二金属线之间的距离更大，第一、第二金属线之间的寄生电容减小，进而改善了整个半导体器件的射频特性。

主权项

一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括多个器件区域；所述器件区域中形成有多个晶体管，所述器件区域两端的晶体管分别为第一端部晶体管以及第二端部晶体管；所述第一端部晶体管与其相邻的晶体管共漏区，所述第二端部晶体管与其相邻的晶体管共源区；每个器件区域中除第一端部晶体管和第二端部晶体管之外的其他晶体管均与其自身两侧相邻的晶体管共源区且共漏区；第一金属线，将位于每个器件区域中的第一端部晶体管的源区并联；第二金属线，将位于每个器件区域中的第二端部晶体管的漏区并联；第三金属线，将所述多个器件区域中所有晶体管的栅极串联。