[发明专利]光波导及其制作方法、降低III-V半导体波导侧壁散射损耗的方法有效
| 申请号： | 201410681262.9 | 申请日： | 2014-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN105700072B | 公开（公告）日： | 2019-05-17 |
| 发明（设计）人： | 张瑞英 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122;G02B6/13 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种光波导及其制作方法、降低III‑V半导体波导侧壁散射损耗的方法，该光波导包括芯层，所述芯层的表面包覆有限制层，所述限制层包括氧化铝包层，该氧化铝包层与所述芯层之间形成有光滑的侧壁。本发明采用含Al的III‑V半导体作为光波导芯层材料，并通过Al氧化定义其光波导，一方面由Al氧化定义的光波导使得含Al半导体被Al2O3介质包围，二者的折射率差较小，由此使得散射损耗对波导侧壁粗糙度敏感性降低；另一方面，Al氧化工艺为湿法氧化技术，该种化学反应是在分子水平产生作用的，因此，由其定义的波导结构，其侧壁粗糙度无疑远小于干法刻蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 波导 及其 制作方法 降低 iii 半导体 侧壁 散射 损耗 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光波导，其特征在于，包括芯层，所述芯层的表面包覆有限制层，所述限制层包括氧化铝包层，该氧化铝包层与所述芯层之间形成有光滑的侧壁，所述芯层为含Al的III‑V半导体，通过对所述III‑V半导体进行氧化形成所述氧化铝包层。
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