[发明专利]光波导及其制作方法、降低III-V半导体波导侧壁散射损耗的方法有效

专利信息
申请号: 201410681262.9 申请日: 2014-11-24
公开(公告)号: CN105700072B 公开(公告)日: 2019-05-17
发明(设计)人: 张瑞英 申请(专利权)人: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
主分类号: G02B6/122 分类号: G02B6/122;G02B6/13
代理公司: 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 代理人: 王锋
地址: 215123 江苏省苏州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 波导 及其 制作方法 降低 iii 半导体 侧壁 散射 损耗 方法
【权利要求书】:

1.一种光波导,其特征在于,包括芯层,所述芯层的表面包覆有限制层,所述限制层包括氧化铝包层,该氧化铝包层与所述芯层之间形成有光滑的侧壁,所述芯层为含Al的III-V半导体,通过对所述III-V半导体进行氧化形成所述氧化铝包层。

2.根据权利要求1所述的光波导,其特征在于:所述氧化铝包层的折射率为1.4~2.0。

3.根据权利要求1所述的光波导,其特征在于:所述III-V半导体选自AlAs、AlP、AlN、InAlAs、InAlP、AlGaAs、AlGaP、InAlN、GaAlN、InGaAlP、InGaAlAs、或InGaAlN。

4.根据权利要求1所述的光波导,其特征在于:所述芯层的上下两侧分别形成有上包层和下包层,所述氧化铝包层形成于所述芯层的左右两侧。

5.根据权利要求4所述的光波导,其特征在于:所述上包层和下包层的材质均选自与芯层材料晶格相近的III-V半导体,且其对应折射率小于芯层材料的折射率。

6.根据权利要求1所述的光波导,其特征在于:所述光滑的侧壁为斜面。

7.权利要求1至6任一所述的光波导的制作方法,其特征在于,包括:

s1、在下包层上依次形成芯层和上包层;

s2、在上包层表面匀胶光刻,获得图形掩膜;

s3、通过图形掩膜进行蚀刻,直至露出芯层的上表面或其侧壁;

s4、对芯层露出的部分进行Al氧化,芯层被氧化的部分与未氧化部分之间形成光滑的侧壁。

8.根据权利要求7所述的光波导的制作方法,其特征在于:所述Al氧化为湿法氧化,其化学反应在分子水平产生作用。

9.一种降低III-V半导体波导侧壁散射损耗的方法,其特征在于:对含Al的III-V半导体进行铝氧化,以使所述III-V半导体被氧化与未氧化部分之间形成光滑的氧化铝侧壁。

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