[发明专利]光波导及其制作方法、降低III-V半导体波导侧壁散射损耗的方法有效
| 申请号： | 201410681262.9 | 申请日： | 2014-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN105700072B | 公开（公告）日： | 2019-05-17 |
| 发明（设计）人： | 张瑞英 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122;G02B6/13 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 波导 及其 制作方法 降低 iii 半导体 侧壁 散射 损耗 方法 | ||
1.一种光波导，其特征在于，包括芯层，所述芯层的表面包覆有限制层，所述限制层包括氧化铝包层，该氧化铝包层与所述芯层之间形成有光滑的侧壁，所述芯层为含Al的III-V半导体，通过对所述III-V半导体进行氧化形成所述氧化铝包层。
2.根据权利要求1所述的光波导，其特征在于：所述氧化铝包层的折射率为1.4～2.0。
3.根据权利要求1所述的光波导，其特征在于：所述III-V半导体选自AlAs、AlP、AlN、InAlAs、InAlP、AlGaAs、AlGaP、InAlN、GaAlN、InGaAlP、InGaAlAs、或InGaAlN。
4.根据权利要求1所述的光波导，其特征在于：所述芯层的上下两侧分别形成有上包层和下包层，所述氧化铝包层形成于所述芯层的左右两侧。
5.根据权利要求4所述的光波导，其特征在于：所述上包层和下包层的材质均选自与芯层材料晶格相近的III-V半导体，且其对应折射率小于芯层材料的折射率。
6.根据权利要求1所述的光波导，其特征在于：所述光滑的侧壁为斜面。
7.权利要求1至6任一所述的光波导的制作方法，其特征在于，包括：
s1、在下包层上依次形成芯层和上包层；
s2、在上包层表面匀胶光刻，获得图形掩膜；
s3、通过图形掩膜进行蚀刻，直至露出芯层的上表面或其侧壁；
s4、对芯层露出的部分进行Al氧化，芯层被氧化的部分与未氧化部分之间形成光滑的侧壁。
8.根据权利要求7所述的光波导的制作方法，其特征在于：所述Al氧化为湿法氧化，其化学反应在分子水平产生作用。
9.一种降低III-V半导体波导侧壁散射损耗的方法，其特征在于：对含Al的III-V半导体进行铝氧化，以使所述III-V半导体被氧化与未氧化部分之间形成光滑的氧化铝侧壁。
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