[发明专利]一种利用低熔点金属消除外延层生长热失配的方法

摘要

本发明公开了一种利用低熔点金属消除外延层生长热失配的方法：通过在衬底表面沉积一层低熔点金属，利用其在高温下的熔融性质来消除衬底层和外延层由于热膨胀系数不同而形成的热应力；为了成功进行异质外延，还需要在金属表面覆盖掩膜层，并且通过刻蚀露出生长窗口；调节生长参数，实现窗口区到掩膜区的横向外延。该方法能够利用金属熔化后的流动性质来消除外延层和衬底层界面间热应力，达到改善外延层质量，保证其不会龟裂。

主权项

一种消除外延层生长热失配的方法，其特征在于，该方法包括：步骤1、在衬底表面沉积一层低熔点金属层；步骤2、对所述低熔点金属层进行去氧化处理，并衬底一掩膜层；步骤3、根据预定的周期和占空比对所述掩膜层进行光刻和显影，并刻蚀形成生长窗口；步骤4、在所述生长窗口区外延生长半导体材料。