[发明专利]一种储存装置的制造方法

摘要

本发明公开了一种储存装置的制造方法，包括：数层的第一导电材料是被刻蚀以界定在第一组沟槽的左右的第一组叠层的导电条带，于此，一叠层具有大于目标宽度的两倍的宽度。第一储存层是形成于第一组沟槽中的导电条带的侧表面上，而第二导电材料的第一层是形成在第一储存层上面。第一组叠层是被刻蚀以界定在第二组沟槽之间的第二组叠层的导电条带，其中，一叠层具有等于目标宽度的宽度。第二储存层是形成于第二组沟槽中的导电条带的侧表面上，而第二导电材料的第二层是形成在第二储存层上面。

主权项

一种储存装置的制造方法，包括：形成与多个绝缘层交错的一第一导电材料的数层在一集成电路基板上；刻蚀所述数层以界定在第一组沟槽之间的第一组叠层的导电条带，其中所述第一组叠层中的一叠层具有大于一目标宽度的两倍的宽度；及刻蚀所述第一组叠层以将所述第一组叠层中的每个叠层分为第二组叠层的导电条带中的两个叠层，其中所述第二组叠层中的每个叠层，是界定在所述第一组沟槽中的一第一沟槽以及第二组沟槽中的一第二沟槽之间，其中所述第二组叠层中的一叠层具有等于所述目标宽度的宽度。