[发明专利]背照式CMOS图像传感器及其形成方法

摘要

一种背照式CMOS图像传感器及其形成方法，其中形成方法包括：提供第一衬底，在正面形成有若干像素单元、第一层间介质层、位于第一层间介质层中的互连层；将第二衬底与第一衬底在正面键合；在背面形成通孔；在背面上和通孔底部、侧壁形成等离子体阻挡层；在通孔底部的等离子体阻挡层和第一层间介质层中形成接触孔；在等离子体阻挡层上和通孔、接触孔中形成导电材料；干法刻蚀去除通孔外的导电材料，通孔和接触孔内剩余的导电材料作为导电层。所述干法刻蚀过程的绝大多数等离子体遭到了等离子体阻挡层的阻挡而不会向第一衬底扩散，这能减小驱动电路工作时的电信号中的暗电流，降低暗电流对电信号造成的干扰，确保光照状态下的图像清晰。

主权项

1.一种背照式CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：/n提供第一衬底，所述第一衬底具有正面和背面，在所述第一衬底正面形成有若干像素单元、覆盖第一衬底的正面和像素单元的第一层间介质层、位于所述第一层间介质层中的互连层；/n提供第二衬底，将所述第二衬底与第一衬底在正面方向上键合；/n在第一衬底背面形成通孔，所述通孔露出第一层间介质层；/n直接在所述第一衬底背面上和通孔底部、侧壁形成等离子体阻挡层；/n在所述通孔底部的等离子体阻挡层和第一层间介质层中形成接触孔，所述接触孔露出所述互连层；/n在所述等离子体阻挡层上和通孔中、接触孔中形成导电材料，所述导电材料填充满通孔和接触孔；/n干法刻蚀去除所述通孔外的导电材料，所述通孔和接触孔内剩余的导电材料作为导电层，所述等离子体阻挡层用于阻挡干法刻蚀过程中等离子体向衬底中扩散；/n在干法刻蚀去除所述通孔外的导电材料时或之后，去除所有像素单元上方的等离子体阻挡层。/n