[发明专利]半导体存储器件及其读取方法有效
| 申请号： | 201410640096.8 | 申请日： | 2014-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN105097018B | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | 李煕烈 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/4193 | 分类号： | G11C11/4193;G11C11/4063;G11C11/413 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体存储器件可以包括：公共源极线控制器，其配置成在读取操作期间经由公共源极线将沟道电流提供至单元存储串；以及页缓冲器，其配置成当提供了所述沟道电流时通过检测位线的电流来检测储存在选中存储器单元中的数据。页缓冲器可以使位线选择性地偏置以保持所述位线的电压等同于或高于参考电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 及其 读取 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器件，包括：单元存储串，其包括在公共源极线和位线之间串联耦接的多个存储器单元；公共源极线控制器，其适于在读取操作期间经由所述公共源极线将沟道电流提供至所述单元存储串；以及页缓冲器，其适于当提供了所述沟道电流时，通过检测所述位线的电流来检测储存在选自所述多个存储器单元的存储器单元中的数据，其中，所述页缓冲器使所述位线选择性地偏置以把所述位线的电压保持为等同于或高于参考电压。
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