[发明专利]绿光LED外延层结构及生长方法有效
| 申请号： | 201410636516.5 | 申请日： | 2014-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN104393132A | 公开（公告）日： | 2015-03-04 |
| 发明（设计）人： | 刘炜;赵德刚;陈平;刘宗顺;朱建军;江德生 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种绿光LED外延层结构及生长方法，其中绿光LED外延层结构，包括：一衬底，该衬底的材料为蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓或砷化镓；一GaN缓冲层，其生长在衬底上；一非掺杂GaN层，其生长在GaN缓冲层上；一N型GaN层，其生长在非掺杂GaN层上；一多量子阱区，其生长在N型GaN层上；一P型AlGaN层，其生长在多量子阱区上；一P型GaN层，其生长在P型AlGaN层上；一P型GaN盖层，其生长在P型GaN层上。本发明是通过提高MQW中空穴的注入效率和减小InGaN量子阱中的QCSE效应，实现绿光LED发光效率的提升。 | ||
| 搜索关键词： | led 外延 结构 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种绿光LED外延层结构，包括：一衬底，该衬底的材料为蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓或砷化镓；一GaN缓冲层，其生长在衬底上；一非掺杂GaN层，其生长在GaN缓冲层上；一N型GaN层，其生长在非掺杂GaN层上；一多量子阱区，其生长在N型GaN层上；一P型AlGaN层，其生长在多量子阱区上；一P型GaN层，其生长在P型AlGaN层上；一P型GaN盖层，其生长在P型GaN层上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410636516.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
