[发明专利]基板处理装置和基板处理方法

摘要

本发明提供基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置包括真空容器，其具有顶板；旋转台，其以能够旋转的方式设于所述真空容器内；第1处理气体供给部件，其用于供给要吸附于与所述旋转台对置的基板的表面的第1处理气体；等离子体处理用气体供给部件，其设于在所述旋转台的周向上与所述第1处理气体供给部件分开的位置，用于向所述基板的表面供给等离子体处理用气体；分离气体供给部件，其用于供给使所述第1处理气体和所述等离子体处理用气体分离的分离气体；等离子体产生部件，其用于使所述等离子体处理用气体等离子体化；以及升降机构，其用于使所述等离子体产生部件和所述旋转台中的至少一者升降。

主权项

一种基板处理装置，其中，该基板处理装置包括：真空容器，其具有顶板；旋转台，其以能够旋转的方式设于所述真空容器内，在该旋转台的与所述顶板相对的表面形成有用于载置基板的基板载置部；第1处理气体供给部件，其设于所述顶板与所述旋转台之间，用于供给要吸附于所述基板的表面的第1处理气体；等离子体处理用气体供给部件，其设于所述顶板与所述旋转台之间，且设于在所述旋转台的周向上与所述第1处理气体供给部件分开的位置，该等离子体处理用气体供给部件用于向所述基板的表面供给等离子体处理用气体；分离气体供给部件，其设于所述顶板与所述旋转台之间，且设于所述旋转台的旋转方向上的、所述第1处理气体供给部件与所述等离子体处理用气体供给部件之间和所述等离子体处理用气体供给部件与所述第1处理气体供给部件之间，该分离气体供给部件用于供给使所述第1处理气体和所述等离子体处理用气体分离的分离气体；等离子体产生部件，其用于使所述等离子体处理用气体等离子体化；以及升降机构，其用于使所述等离子体产生部件和所述旋转台中的至少一者升降，该基板处理装置进行以下工序：精细化工序，在精细化工序中，在使所述等离子体产生部件与所述旋转台之间的距离为第3距离的状态下，利用所述等离子体处理用气体的等离子体来对所述基板上的预先形成的含有碳的膜进行精细化；第1成膜工序，在第1成膜工序中，在针对基板使所述等离子体产生部件与所述旋转台之间的距离为第1距离的状态下使所述旋转台旋转，并从所述第1处理气体供给部件向所述基板供给所述第1处理气体，从所述等离子体处理用气体供给部件供给用于与所述第1处理气体反应而形成反应生成物的第2处理气体，利用所述等离子体产生部件来使所述第2处理气体等离子体化，由此在所述基板上进行所述反应生成物的成膜；以及第2成膜工序，在第2成膜工序中，在利用所述第1成膜工序在所述基板上形成规定的膜厚的所述反应生成物之后，将所述等离子体产生部件与所述旋转台之间的距离改变为比所述第1距离短的第2距离。