[发明专利]晶体管及其形成方法

摘要

一种晶体管及其形成方法，晶体管的形成方法包括：提供衬底，衬底表面具有伪栅极结构和第一介质层，伪栅极结构包括伪栅极层，第一介质层覆盖伪栅极结构的侧壁，且第一介质层的表面与伪栅极结构的表面齐平；减薄第一介质层的厚度，使第一介质层的表面低于伪栅极结构的表面，并暴露出伪栅极结构顶部的部分侧壁表面；在减薄第一介质层的厚度之后，在伪栅极结构暴露出的侧壁表面形成应力层；在形成应力层之后，在第一介质层表面形成第二介质层，第二介质层的表面与伪栅极结构的顶部表面齐平；在形成第二介质层之后，去除伪栅极层，在第一介质层和第二介质层内形成开口；在开口内形成栅极层。所形成的晶体管的性能提高。

主权项

1.一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底表面具有伪栅极结构和第一介质层，所述伪栅极结构包括伪栅极层，所述第一介质层覆盖所述伪栅极结构的侧壁，且所述第一介质层的表面与伪栅极结构的表面齐平；减薄所述第一介质层的厚度，使所述第一介质层的表面低于伪栅极结构的表面，并暴露出伪栅极结构顶部的部分侧壁表面；在减薄所述第一介质层的厚度之后，在所述伪栅极结构暴露出的侧壁表面形成应力层，所述应力层具有拉应力；在形成所述应力层之后，在第一介质层表面形成第二介质层，所述第二介质层的表面与所述伪栅极结构的顶部表面齐平；在形成所述第二介质层之后，去除所述伪栅极层，在第一介质层和第二介质层内形成开口；在所述开口内形成栅极层。