[发明专利]一种铜锌锡硫硒(CZTSSe)薄膜的制备工艺

摘要

一种铜锌锡硫硒(CZTSSe)薄膜的制备工艺。本发明薄膜在500℃的硒化退火温度下能够形成具有单一锌黄锡矿结构、结晶程度较好的薄膜；而且具有贫铜的成分，随着温度的升高，Se元素含量增加最后趋于平稳，而Ｓ元素含量先减少后有增加趋势。本发明具体包括如下步骤：（1）先在反应容器中充入一定的惰性气体，使反应容器保持一定的气压，然后开始升温；（2）在280℃下反应1ｈ，之后经离心洗涤，将纳米颗粒从反应溶液中分离出来，在惰性环境下，烘干，分别得到两种不同条件下的纳米颗粒；（3）将制得的CZTS纳米晶粒溶于一定量的己硫醇中制成纳米浆溶液，采用滴涂的方法在钠钙玻璃衬底上制得CZTS薄膜，并进行硒化退火处理得到CZTSSe薄膜。

主权项

一种铜锌锡硫硒(CZTSSe)薄膜的制备工艺，其特征在于包括如下步骤：（1）先在反应容器中充入一定的惰性气体，使反应容器保持一定的气压，然后开始升温；（2）在280℃下反应1ｈ，之后经离心洗涤，将纳米颗粒从反应溶液中分离出来，在惰性环境下，烘干，分别得到两种不同条件下的纳米颗粒；（3）将制得的CZTS纳米晶粒溶于一定量的己硫醇中制成纳米浆溶液，采用滴涂的方法在钠钙玻璃衬底上制得CZTS薄膜，并进行硒化退火处理得到CZTSSe薄膜。