[发明专利]一种铜锌锡硫硒(CZTSSe)薄膜的制备工艺在审
申请号: | 201410618905.5 | 申请日: | 2014-11-06 |
公开(公告)号: | CN105576076A | 公开(公告)日: | 2016-05-11 |
发明(设计)人: | 陈玉梅 | 申请(专利权)人: | 陈玉梅 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 110179 辽宁省沈阳市浑南新*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 铜锌锡硫硒 cztsse 薄膜 制备 工艺 | ||
技术领域
本发明是涉及一种铜锌锡硫硒(CZTSSe)薄膜的制备工艺。
背景技术
太阳能作为一种高效的能源,具有照射普遍,储量巨大,使用时间长久的特点,从而成为未来能源的最佳选择。在太阳能的有效利用中,由CZTSSe材料制备的太阳能电池以其理论转换效率高、成本低廉并且具有抗干扰、耐辐射能力强等优点而受到各国光伏研究人员的广泛关注。
Cu2ZnSnS4(CZTS)为Ⅰ2-Ⅱ-Ⅳ-Ⅵ4族直接带隙。半导体材料,有锌黄锡矿(kesterite)和黄锡矿(stannite)两种晶体结构。CZTS材料的禁带宽度为1.45ev,与太阳能电池所要求的最佳禁带宽度相匹配,且具有较高的光学吸收系数(α>104/cm),因此作为太阳能电池的P型吸收层薄膜需要的厚度较小(约2μm)。此外,该材料中的各元素在地壳中的储量丰富、无毒,环境友好,从而成为太阳能电池的最佳候选材料之一。
2010年QijieGuo等人采用纳米墨汁涂覆法制备了全域转化效率为7.2%的CZTSSe太阳能电池。Todorov研究组以肼为溶剂制得了CZTS纳米颗粒,并通过旋涂法获得了效率为9.6%CZTSSe太阳能电池。2012年ByunghaShin等人采用热蒸发技术制备的CZTSe太阳电池也达到了8.9%的效率。目前,TeodorK.Todorov等人制备的CZTSSe太阳能电池其效率已经达11.1%。而根据Shockley-QueisserDE理论计算,CZTS太阳能电池的理论转换效率可以达到32.2%。但现在仍然存在薄膜组成成分的配比不易优化、结构不易控制和工艺重复性低等问题,由之制造的太阳能电池转换率仍不理想,较之理论转换效率还有很大的提升空间。目前高效的薄膜电池所用的吸收层几乎都是采用真空技术制备的,这需要精密昂贵的大型设备,使薄膜太阳电池的成本居高不下,而且实现大规模连续生产困难也较大。由于CZTS由多种元素组成,对元素配比精准度要求较高,而且多元晶格、多层界面结构、缺陷以及杂质等问题的存在增加了制备的难度。
发明内容
本发明就是针对上述问题,弥补现有技术的不足,提出一种铜锌锡硫硒(CZTSSe)薄膜的制备工艺;本发明薄膜在500℃的硒化退火温度下能够形成具有单一锌黄锡矿结构、结晶程度较好的薄膜;而且具有贫铜的成分,随着温度的升高,Se元素含量增加最后趋于平稳,而S元素含量先减少后有增加趋势。
为实现本发明的上述目的,本发明采用如下技术方案。
本发明一种铜锌锡硫硒(CZTSSe)薄膜的制备工艺,具体包括如下步骤:
(1)先在反应容器中充入一定的惰性气体,使反应容器保持一定的气压,然后开始升温;
(2)在280℃下反应1h,之后经离心洗涤,将纳米颗粒从反应溶液中分离出来,在惰性环境下,烘干,分别得到两种不同条件下的纳米颗粒;
(3)将制得的CZTS纳米晶粒溶于一定量的己硫醇中制成纳米浆溶液,采用滴涂的方法在钠钙玻璃衬底上制得CZTS薄膜,并进行硒化退火处理得到CZTSSe薄膜。
作为本发明的一种优选方案,所述步骤(2)中的烘干时间为2h。
作为本发明的另一种优选方案,所述步骤(3)中的硒化退火处理是分别在温度为350℃、400℃、450℃、500℃、550℃下进行的。
另外,本发明以铜、锌、锡的乙酰丙酮物、硫及油胺为初始原料,将铜、锌、锡的乙酰丙酮物、硫按照非化学计量比(1.275mmol乙酰丙酮铜、0.9mmol乙酰丙酮锌、0.525mmol氯化亚锡和4.5mmol硫,即Cu∶Zn∶Sn∶S=2.4∶1.8∶1∶8.5)和化学计量比(1.5mmol乙酰丙酮铜、0.75mmol乙酰丙酮锌、0.75mmol氯化亚锡和3mmol硫,即Cu∶Zn∶Sn∶S=2∶1∶1∶4)混合加入高温高压釜中,并加入适量的油胺,在惰性气体Ar的保护下,一直通入惰性气体,对反应进行保护,隔绝氧气的影响。
本发明的有益效果是。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的