[发明专利]一种铜锌锡硫硒(CZTSSe)薄膜的制备工艺在审
| 申请号： | 201410618905.5 | 申请日： | 2014-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN105576076A | 公开（公告）日： | 2016-05-11 |
| 发明（设计）人： | 陈玉梅 | 申请（专利权）人： | 陈玉梅 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 110179 辽宁省沈阳市浑南新*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 铜锌锡硫硒 cztsse 薄膜 制备 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种铜锌锡硫硒(CZTSSe)薄膜的制备工艺，其特征在于包括如下步骤：
（1）先在反应容器中充入一定的惰性气体，使反应容器保持一定的气压，然后开始升温；
（2）在280℃下反应1ｈ，之后经离心洗涤，将纳米颗粒从反应溶液中分离出来，在惰性环境下，烘干，分别得到两种不同条件下的纳米颗粒；
（3）将制得的CZTS纳米晶粒溶于一定量的己硫醇中制成纳米浆溶液，采用滴涂的方法在钠钙玻璃衬底上制得CZTS薄膜，并进行硒化退火处理得到CZTSSe薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种铜锌锡硫硒(CZTSSe)薄膜的制备工艺，其特征在于：所述步骤（2）中的烘干时间为2h。
3.根据权利要求1所述的一种铜锌锡硫硒(CZTSSe)薄膜的制备工艺，其特征在于：所述步骤（3）中的硒化退火处理是分别在温度为350℃、400℃、450℃、500℃、550℃下进行的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
