[发明专利]在例如FinFET器件中使用的形成电介质隔离的鳍结构的方法

摘要

本发明的各个实施例涉及一种在例如FinFET器件中使用的用于形成电介质隔离鳍结构的方法。该方法包括：在由第一半导体材料形成的衬底上，沉积由第二半导体材料形成的第一覆盖层；在第一覆盖层之上，沉积由第三半导体材料形成的第二覆盖层。图案化第一和第二覆盖层以限定鳍，其中每个鳍包括在由第二材料形成的第二区域之上的由第三材料形成的第一区域；氧化物材料填充鳍之间的空间；然后执行热氧化以将第二区域转换为，将由第三材料形成的第一区域与衬底隔离的材料。作为可选的步骤，在沉积氧化物材料以及执行热氧化之前，水平地使由第二材料形成的第二区域变薄。一旦鳍形成并与衬底绝缘，则执行传统的FinFET制作。

主权项

一种方法，包括：在由第一材料形成的衬底上，沉积由第二半导体材料形成的第一覆盖层；在所述第一覆盖层之上，沉积由第三半导体材料形成的第二覆盖层；图案化所述第一覆盖层和所述第二覆盖层以限定多个鳍，每个鳍包括在由所述第二半导体材料形成的第二区域之上的由所述第三半导体半导体材料形成的第一区域；沉积氧化物材料以填充所述多个鳍之间的空间；以及执行热氧化以将所述第二区域转换为如下材料，所述材料将由所述第三半导体材料形成的所述第一区域与由所述第一材料形成的所述衬底绝缘。