[发明专利]碳化硅中间带太阳电池及其制备方法在审
| 申请号： | 201410612819.3 | 申请日： | 2014-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN104409553A | 公开（公告）日： | 2015-03-11 |
| 发明（设计）人： | 王科范;张光彪;丁丽;刘孔;曲胜春;王占国 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L31/077 | 分类号： | H01L31/077;H01L31/0312;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 曹玲柱 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种碳化硅中间带太阳能电池及其制备方法。该碳化硅中间带太阳能电池包括：n型碳化硅衬底；形成于该n型碳化硅衬底上的经深能级杂质离子注入和纳秒激光退火的本征层，其作为中间带光吸收层；以及形成于该本征层上的p型帽层。本发明碳化硅中间带太阳电池结构系首次提出，其可以大幅提高碳化硅太阳电池的光响应波长和转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 中间 太阳电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅中间带太阳能电池，其特征在于，包括：n型碳化硅衬底(1)；形成于该n型碳化硅衬底(1)上的经深能级杂质离子注入和纳秒激光退火的本征层(2)，其作为中间带光吸收层；以及形成于该本征层(2)上的p型帽层(3)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
