[发明专利]一种耐热性有机电负性半导体

摘要

本发明披露一种耐热性有机电负性半导体，采用吸电性基团EW1、EW2与芳杂环取代的苯并菲化合结构键接成化合物（I），可应用于有机光电电子器件，获得器件效率提升，器件工作电压降低及高温寿命延长性能。       （I）

主权项

一种有机半导体化合物，具有如下结构通式（I）：（I）其特征是所述的化合物中Ar_1‑2为苯基，取代苯基，萘基，取代萘基，菲基，取代菲基，吡啶基，取代吡啶基，喹啉基取代喹啉基，噻唑基，取代噻唑基，噁唑基，取代噁唑基，吡嗪基，取代吡嗪基，苯并噻唑基，取代苯并噻唑基，苯并呋喃基，取代苯并呋喃；其特征是所述化合物中Ar_3‑4为H, D, F，苯基，取代苯基，萘基，取代萘基，菲基，取代菲基，吡啶基，取代吡啶基，喹啉基，取代喹啉基，噻唑基，取代噻唑基，噁唑基，取代噁唑基，吡嗪基，取代吡嗪基，苯并噻吩基，取代苯并噻吩基，苯并呋喃基，取代苯并呋喃基；其特征是所述化合物中EW1与EW2为H, D, 相同或不同的吸电基团，由碳原子少于40个的含N,O,S 的芳环、融合芳环组成。