[发明专利]一种GaN异质结二极管器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201410608662.7 | 申请日： | 2014-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN104362181B | 公开（公告）日： | 2017-07-04 |
| 发明（设计）人： | 裴轶;陈洪维 | 申请（专利权）人： | 苏州捷芯威半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人： | 路凯,胡彬 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN异质结二极管器件及其制作方法，所述器件包括衬底；位于所述衬底上的缓冲层；位于所述缓冲层上的沟道层；位于所述沟道层上势垒层，所述势垒层与沟道层形成异质结构，并在异质结界面处形成二维电子气沟道；位于所述势垒层上的冒层；位于所述势垒层上方、所述冒层两侧的第一欧姆阳极和欧姆阴极，所述第一欧姆阳极与所述冒层接触；位于所述第一欧姆阳极和所述冒层上的第二欧姆阳极，所述第二欧姆阳极与所述冒层欧姆金属接触。本发明解决了现有技术中在控制正向开启电压与反向漏电之间相互矛盾的问题，实现了二极管同时具有低开启电压，低导通电阻、高反向耐压和高正向导通电流的特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 异质结 二极管 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种GaN异质结二极管器件，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底上的缓冲层；位于所述缓冲层上的沟道层；位于所述沟道层上的势垒层，所述势垒层与沟道层形成异质结构，并在异质结界面处形成二维电子气沟道；位于所述势垒层上的冒层；位于所述势垒层上方、所述冒层两侧的第一欧姆阳极和欧姆阴极，所述第一欧姆阳极与所述冒层接触；位于所述第一欧姆阳极和所述冒层上的第二欧姆阳极，所述第二欧姆阳极与所述冒层形成欧姆金属接触；其中，所述冒层材料为p型AlGaN和p型GaN的任意一种或二者形成的渐变层；所述第二欧姆阳极结构包括Ni、Au、Pt、Pd、W、Ag、Cr、ITO中的任意一种或任意几种组合的合金。
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