[发明专利]一种有机薄膜晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201410607350.4 | 申请日： | 2014-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN104409633A | 公开（公告）日： | 2015-03-11 |
| 发明（设计）人： | 葛·瑞金;宋怡静;杨昕;黄维;侯晓纯 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/10;H01L51/30;H01L51/40 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 许方 |
| 地址： | 210000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种有机薄膜晶体管及其制备方法，包括重掺杂硅片、修饰层十八烷基三氯硅烷OTS、修饰层聚苯乙烯PS、源、漏电极层、P3HT有机半导体活性层，在绝缘层与电极层间设置修饰层,所述的修饰层包含十八烷基三氯硅烷OTS层和聚苯乙烯PS层。步骤一，选重掺杂硅片为衬底，重掺杂硅作为栅电极，热氧化生成的二氧化硅作为绝缘层；步骤二，在绝缘层上用汽化的方式制备十八烷基三氯硅烷OTS修饰层；步骤三，在十八烷基三氯硅烷OTS修饰层上旋涂一层聚苯乙烯PS修饰层；步骤四，在聚苯乙烯PS修饰层上通过掩膜蒸镀方式制备源、漏电极；步骤五，在电极上用喷墨打印的方法制备有机半导体活性层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 有机 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种有机薄膜晶体管，包括重掺杂硅片、修饰层十八烷基三氯硅烷OTS、修饰层聚苯乙烯PS、源、漏电极层、P3HT有机半导体活性层，其特征在于：在绝缘层与电极层间设置修饰层,所述的修饰层包含十八烷基三氯硅烷OTS层和聚苯乙烯PS层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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