[发明专利]用于超高真空腔室的清洗装置及方法有效
| 申请号： | 201410606142.2 | 申请日： | 2014-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN105575767B | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 俞芸 | 申请（专利权）人： | 上海微电子装备（集团）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种用于超高真空腔室的清洗装置，包括紫外光源及控制装置、真空泵系统、清洗气源，其特征在于，还包括：四极质谱计，用于测试腔室内的污染物分压；真空规，实时监控腔体内的真空度；压强控制仪和微调阀，所述压强控制仪控制所述微调阀的开度，精确控制所述真空腔室内的清洗气体的分压；以及冷板和温控单元，所述冷板内部通循环水，通过水温去控制腔体外壁的温度；所述温控单元提供温度稳定的循环水。本发明还公开一种用于超高真空腔室的清洗方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 超高 空腔 清洗 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于超高真空腔室的清洗装置，其特征在于，包括紫外光源及控制装置、真空泵系统、清洗气体；四极质谱计，用于测试腔室内的污染物分压；真空规，实时监控腔体内的真空度；压强控制仪和微调阀，所述压强控制仪控制所述微调阀的开度，精确控制所述真空腔室内的清洗气体的分压；所述清洗气体为惰性气体和氧气的混合气体，氧气的比例是0‑10％，或者所述清洗气体为惰性气体和水蒸气的混合气体，水蒸气的比例是0‑10％。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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