[发明专利]铜互连结构的制作方法在审
| 申请号： | 201410604127.4 | 申请日： | 2014-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN105633005A | 公开（公告）日： | 2016-06-01 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;胡敏达 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种铜互连结构的制作方法，包括：提供基底；在所述基底上形成介质层；在所述介质层上形成掩膜层，所述掩膜层内具有贯穿厚度的开口；沿所述开口刻蚀所述介质层，在所述介质层内形成通孔，所述通孔的底部露出基底；采用铜自流工艺在所述通孔内填充满铜层，所述铜层高于所述掩膜层；去除高于所述掩膜层的铜层，形成铜插塞。采用本发明的方法形成的铜插塞性能有所提高，且成本有所降低。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
一种铜互连结构的制作方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成介质层；在所述介质层上形成掩膜层，所述掩膜层内具有贯穿自身厚度的开口；沿所述开口刻蚀所述介质层，在所述介质层内形成通孔，所述通孔的底部露出所述基底；采用铜自流工艺在所述通孔内填充满铜层，所述铜层高于所述掩膜层；去除高于所述掩膜层的铜层，形成铜插塞。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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