[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及显示装置在审
| 申请号： | 201410601806.6 | 申请日： | 2014-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN104576749A | 公开（公告）日： | 2015-04-29 |
| 发明（设计）人： | 黄常刚 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/43;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;黄灿 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及显示技术领域，公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及显示装置。通过设置薄膜晶体管的源电极的功函数小于有源层靠近所述源电极一端的功函数，和/或，所述有源层靠近漏电极一端的功函数小于所述漏电极的功函数，能够显著降低电子从漏电极到沟道，和/或，从沟道到源电极的传输能力，从而可以有效降低薄膜晶体管的漏电流，保证薄膜晶体管的电学性能，使得器件可以正常工作。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制作方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括源电极、漏电极和有源层，其特征在于，所述源电极的功函数小于所述有源层靠近所述源电极一端的功函数，和/或，所述有源层靠近所述漏电极一端的功函数小于所述漏电极的功函数。
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