[发明专利]相变存储器及其形成方法在审
| 申请号： | 201410598522.6 | 申请日： | 2014-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN105552217A | 公开（公告）日： | 2016-05-04 |
| 发明（设计）人： | 伏广才;李志超 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种相变存储器及其形成方法，相变存储器的形成方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成包含碳化钛的底部电极；在所述底部电极上形成与所述底部电极相接触的相变层；在所述相变层上形成顶部电极。相变存储器包括：衬底；位于所述衬底上的底部电极，所述底部电极采用包含碳化钛的材料形成；位于所述底部电极上，并与所述底部电极相接触的相变层；位于所述相变层上的顶部电极。本发明的有益效果在于，碳化钛的底部电极可以降低相变存储器的功耗，提升了相变存储器的热效率，这样也有利于相变存储器降低功耗；碳化钛的化学性质稳定，保证了底部电极的形成质量。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种相变存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成包含碳化钛的底部电极；在所述底部电极上形成与所述底部电极相接触的相变层；在所述相变层上形成顶部电极。
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