[发明专利]一种GaN基发光二极管的外延片及其制备方法

摘要

本发明公开了一种GaN基发光二极管的外延片及其制备方法，属于发光二极管领域。所述方法包括：在衬底上依次生长缓冲层、N型层、应力释放层、多量子阱层和P型层，多量子阱层的每个周期包括In_yGa_1-yN层和GaN层，应力释放层为超晶格结构，应力释放层的每个周期包括In_xGa_1-xN层和GaN层，0<x＜y，从N型层开始，应力释放层生长温度随周期数逐渐降低，In_xGa_1-xN层中In含量随周期数逐层增加。本发明通过变温变In含量的应力释放层，在靠近N型层一侧采用较高温度较低In含量生长应力释放层，应力释放层的晶格质量比较高，有效地延缓了V型缺陷的产生，从而有效地减少了V型缺陷的数量，提高了多量子阱层的晶体质量，进而改善了GaN基发光二极管器件的内量子效率和抗静电能力。

主权项

一种GaN基发光二极管的外延片，所述外延片包括衬底、生长在所述衬底上的缓冲层、N型层、多量子阱层和P型层，所述多量子阱层为超晶格结构，所述多量子阱层的每个周期包括In_yGa_1‑yN层和GaN层，0<y＜1，其特征在于，所述外延片还包括生长在所述N型层和所述多量子阱层之间的应力释放层，所述应力释放层为超晶格结构，所述应力释放层的每个周期包括In_xGa_1‑xN层和生长在所述In_xGa_1‑xN层之上的GaN层，0<x＜y，从所述N型层一侧开始，所述应力释放层的生长温度随周期数逐渐降低，所述In_xGa_1‑xN层中的In的含量随周期数逐层增加。